大家好，今天小編關(guān)注到一個(gè)比較有意思的話題，就是關(guān)于蒸鍍焊料凸點(diǎn)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)的問(wèn)題，于是小編就整理了3個(gè)相關(guān)介紹蒸鍍焊料凸點(diǎn)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)的解答，讓我們一起看看吧。

蒸鍍意思？

真空蒸鍍，簡(jiǎn)稱蒸鍍，是指在真空條件下，采用一定的加熱蒸發(fā)方式蒸發(fā)鍍膜材料（或稱膜料）并使之氣化，粒子飛至基片表面凝聚成膜的工藝方法。蒸鍍是使用較早、用途較廣泛的氣相沉積技術(shù)，具有成膜方法簡(jiǎn)單、薄膜純度和致密性高、膜結(jié)構(gòu)和性能獨(dú)特等優(yōu)點(diǎn)。

蒸鍍和濺鍍的區(qū)別？

蒸鍍和濺鍍是兩種常用的金屬鍍膜技術(shù)，它們?cè)谠砗筒僮鞣绞缴嫌兄恍﹨^(qū)別。

蒸鍍是一種通過(guò)加熱金屬材料使其蒸發(fā)，然后在待鍍物表面形成薄膜的過(guò)程。在蒸鍍過(guò)程中，金屬材料被加熱至其蒸發(fā)溫度，然后以氣態(tài)形式沉積在待鍍物表面，形成薄膜層。蒸鍍技術(shù)可以用于各種材料的鍍膜，但常用的鍍層材料包括鋁、銀、金和銅等。

濺鍍是一種利用離子轟擊金屬靶材，將金屬離子釋放并沉積在被鍍物表面形成薄膜的技術(shù)。在濺鍍過(guò)程中，金屬靶材被置于真空室中，通過(guò)加入氣體和產(chǎn)生電弧或電子束，將金屬離子釋放并沉積在待鍍物表面。濺鍍技術(shù)在鍍膜過(guò)程中可以更加精確地控制膜層的厚度和均勻性，常用的靶材有銅、鉻、鈦和鋁等。

總的來(lái)說(shuō)，蒸鍍和濺鍍?cè)谠砗筒僮鞣绞缴嫌兴煌?。蒸鍍是通過(guò)加熱金屬材料使其蒸發(fā)，而濺鍍是通過(guò)離子轟擊金屬靶材釋放金屬離子沉積在被鍍物表面。這兩種鍍膜技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用中有各自的優(yōu)勢(shì)和適用范圍。

1.工藝原理不同

蒸鍍是在真空條件下,利用加熱使金屬蒸發(fā)并在基體表面凝結(jié)的工藝。它是一種化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。濺鍍是利用高速離子轟擊基體,使目標(biāo)材料的原子或離子嵌入基體表面形成覆蓋層的物理過(guò)程。

2.處理環(huán)境不同

蒸鍍需要在封閉的真空腔體內(nèi)進(jìn)行,環(huán)境為真空或惰性氣體。濺鍍可以在開(kāi)放環(huán)境內(nèi)進(jìn)行,一般使用氬氣護(hù)航。

3.處理溫度不同

蒸鍍工藝需加熱使金屬蒸發(fā),溫度較高,一般在200-2000°C之間。濺鍍溫度較低,目標(biāo)材料和基體都不需要加熱,離子轟擊過(guò)程的溫升可控在60-200°C。

bump是什么節(jié)點(diǎn)？

bump是凸點(diǎn)，這是一種封裝技術(shù)。

由于現(xiàn)在的芯片引腳太多，很多芯片的引腳都做到芯片底面了。那么怎樣將這種芯片焊道PCB上呢？

于是就有了凸點(diǎn)技術(shù)。其實(shí)就是先按照芯片引腳陣列的形狀放置好一個(gè)個(gè)小球形狀的焊料，然后把芯片放到小球陣列上，然后各種加熱各種焊，小球焊料融化以后芯片就被焊到PCB上面了。

補(bǔ)充一下。這個(gè)bump是名詞動(dòng)用。這句話的大意就是將ASIC/MEMS凸點(diǎn)焊到PCB上。

到此，以上就是小編對(duì)于蒸鍍焊料凸點(diǎn)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)的問(wèn)題就介紹到這了，希望介紹關(guān)于蒸鍍焊料凸點(diǎn)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)的3點(diǎn)解答對(duì)大家有用。