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本文目錄一覽：

• 1、燒結(jié)銀:SiC芯片封裝的關(guān)鍵材料
• 2、哪些地方可以用到賀利氏無(wú)鉛燒結(jié)銀膏?
• 3、功率半島體封裝一般都采用什么技術(shù)?是銀燒結(jié)嗎?
• 4、復(fù)合材料學(xué)報(bào)的論文范例

燒結(jié)銀:SiC芯片封裝的關(guān)鍵材料

碳化硅材料的使用，減小了芯片尺寸，但芯片單位面積的功率仍然相關(guān)，這意味功率模塊需要更多地依賴封裝工藝和散熱材料來(lái)提供散熱。而當(dāng)前，傳統(tǒng)的封裝工藝如軟釬焊料焊接工藝已經(jīng)達(dá)到了應(yīng)用極限，亟需新的封裝工藝和材料進(jìn)行替代。

生產(chǎn)功率芯片的關(guān)鍵材料是半導(dǎo)體材料，其中最常用的是硅（Si）和碳化硅（SiC）。硅是一種常見的半導(dǎo)體材料，具有良好的電學(xué)性能和可靠性，但在高功率、高頻率和高溫環(huán)境下可能會(huì)出現(xiàn)限制。

芯片原材料主要是晶圓，晶圓的成分是硅，而硅是由石英沙所提煉出來(lái)的。沙子是硅元素的主要原料。將硅提純到9個(gè)9的純度才能滿足芯片制造。

哪些地方可以用到賀利氏無(wú)鉛燒結(jié)銀膏?

賀利氏mAgic系列燒結(jié)材料（含樓主提到的燒結(jié)銀膏）可適用于DCB基板的高功率應(yīng)用（有壓燒結(jié)）以及其他引線框架封裝（無(wú)壓燒結(jié)）之中。

功率半島體封裝一般都采用什么技術(shù)?是銀燒結(jié)嗎?

1、目前電子封裝中常用的軟釬焊料為含鉛釬料或無(wú)鉛釬料，其熔點(diǎn)基本在300℃以下，采用軟釬焊工藝的功率模塊結(jié)溫一般低于150℃，應(yīng)用于溫度為175-200℃甚至200℃以上的情況時(shí)，其連接層性能會(huì)急劇退化，影響模塊工作的可靠性。

2、IGBT芯片技術(shù)“門檻”高，不僅涉及設(shè)計(jì)、制造、封裝三個(gè)高精尖技術(shù)領(lǐng)域，而且難度大、周期長(zhǎng)、投入高。

3、封測(cè)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品性能的影響 封裝類型對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品的性能影響很大。一些特定的芯片器件需要高速、低噪聲的外部接口，這就需要采用高端封裝技術(shù)。同樣，對(duì)于一些大功率芯片器件，要在封裝中加入散熱片，以保證芯片的溫度正常。

4、微波器件 半導(dǎo)體微波器件包括接收、控制和發(fā)射器件等。毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。在厘米波段，發(fā)射器件的功率已達(dá)到數(shù)瓦，人們正在通過研制新器件、發(fā)展新技術(shù)來(lái)獲得更大的輸出功率。

復(fù)合材料學(xué)報(bào)的論文范例

高分子材料是指由相對(duì)分子質(zhì)量較高的化合物為基礎(chǔ)構(gòu)成的材料，其一般基本成分是聚合物或以含有聚合物的性質(zhì)為主要性能特征的材料；主要是橡膠、塑料、纖維、涂料、膠黏劑和高分子基復(fù)合材料。

摘要：綜述了鋁基復(fù)合材料的發(fā)展歷史及國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀，重點(diǎn)闡述了碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料制備工藝的 發(fā)展現(xiàn)狀。同時(shí)說明了碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料研究中仍存在的問題，在此基礎(chǔ)上展望了該復(fù)合材料的發(fā)展前景。

材料學(xué)是研究材料組成、結(jié)構(gòu)、工藝、性質(zhì)和使用效能之間的相互關(guān)系的學(xué)科，為材料設(shè)計(jì)、制造、工藝優(yōu)化和合理使用提供科學(xué)依據(jù)。

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