本文目錄一覽：

• 1、IGBT芯片是什么?聽說華微電子生產(chǎn)的IGBT芯片很不錯?
• 2、frd芯片與igbt芯片區(qū)別
• 3、soc芯片和igbt芯片有什么區(qū)別
• 4、【P001】IGBT技術(shù)
• 5、國產(chǎn)高鐵IGBT芯片技術(shù)崛起,打破國外多年壟斷

IGBT芯片是什么?聽說華微電子生產(chǎn)的IGBT芯片很不錯?

1、IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

2、igbt是：絕緣柵雙極型晶體管。igbt是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

3、不過，IGBT芯片相較于手機芯片的制造工藝及設備來說，要求沒有這么高。 另外不同功率等級的IGBT芯片，也有不同的尺寸大小。一般來說，功率等級越高，芯片的尺寸就會越大。 目前IGBT 產(chǎn)品最具競爭力的生產(chǎn)線是8英寸和12 英寸。

4、從功能上來說，IGBT就是一個電路開關，優(yōu)點就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。而且IGBT不用機械按鈕，它是由計算機控制的。

5、華為新能源汽車領域。截至20年3月，IGBT芯片在新能源汽車領域推廣，并已經(jīng)銷售。2019年2月27日，華微電子在互動平臺稱：公司為華為的二級供應商。

6、當然不是。IGBT只是一種復合型功率器件，應該不屬于芯片。芯片應該是大規(guī)模集成電路，甚至應該是具備信息處理能力的集成電路。

frd芯片與igbt芯片區(qū)別

1、性能不同，用途不同等。frd芯片與igbt芯片區(qū)別：性能不同，F(xiàn)RD芯片是一種用于網(wǎng)絡安全領域的芯片，IGBT芯片則是一種功率半導體器件。

2、結(jié)構(gòu)差異區(qū)別：FRD芯片是指FreeRecoveryDiode的縮寫，是一種正向恢復二極管。IGBT芯片指的是InsulatedGateBipolarTransistor，是一種三極管結(jié)構(gòu)的功率開關器件。

3、OH是防止IGBT、FRD(快恢復二極管)過熱的保護功能。IPM內(nèi)部的絕緣基板上沒有溫度檢測元件，檢測絕緣基板溫度Tcoh(IGBT、FRD芯片異常發(fā)熱后的保護動作時間比較慢)。

4、U-IGBT U（溝槽結(jié)構(gòu)）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后，可進一步縮小元胞尺寸，減少溝道電阻，進步電流密度，制造相同額定電流而芯片尺寸最少的產(chǎn)品。

soc芯片和igbt芯片有什么區(qū)別

1、成本更低：SOC芯片的生產(chǎn)成本比傳統(tǒng)的多芯片設計更低，因為它可以減少芯片數(shù)量和組裝過程中的人工成本。性能更好：SOC芯片將多個系統(tǒng)組件集成在同一個芯片上，可以減少組件間的通信延遲，從而提高系統(tǒng)性能。

2、SoC芯片是一種集成電路的芯片，可以有效地降低電子和信息系統(tǒng)產(chǎn)品的開發(fā)成本，縮短開發(fā)周期，提高產(chǎn)品的競爭力，是未來工業(yè)界將采用的最主要的產(chǎn)品開發(fā)方式。

3、soc芯片是系統(tǒng)級芯片。SoC芯片（System on Chip）又稱系統(tǒng)級芯片，片上系統(tǒng)，簡單的理解就是把幾種不同類型的芯片集成到一塊芯片上，比如把CPU、GPU、存儲器、藍牙芯片等集成到一個芯片上。

4、SOC是系統(tǒng)級芯片，ASIC是特殊應用集成電路。SoC也有稱片上系統(tǒng)，ASIC即專用集成電路，意指它是一個產(chǎn)品，是一個有專用目標的集成電路，而ASIC是指應特定用戶要求和特定電子系統(tǒng)的需要而設計、制造的集成電路。

5、結(jié)構(gòu)差異區(qū)別：FRD芯片是指FreeRecoveryDiode的縮寫，是一種正向恢復二極管。IGBT芯片指的是InsulatedGateBipolarTransistor，是一種三極管結(jié)構(gòu)的功率開關器件。

6、一般說來， SoC稱為系統(tǒng)級芯片，也又稱片上系統(tǒng)。意指它是一個產(chǎn)品，是一個有專用目標的集成電路，其中包含完整系統(tǒng)并有嵌入軟件的全部內(nèi)容。

【P001】IGBT技術(shù)

1、這正是以低損耗和高開關頻率而著稱的新IGBT技術(shù)施展的舞臺。在62毫米（當前模塊的標準尺寸）模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶可以因不必改變其機械設計概念而獲益。

2、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種半導體功率開關器件，結(jié)合了雙極晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）的特性。IGBT的作用是在高電壓和高電流應用中實現(xiàn)電能的控制和轉(zhuǎn)換。

3、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

國產(chǎn)高鐵IGBT芯片技術(shù)崛起,打破國外多年壟斷

IGBT的技術(shù)，過去長期被極少數(shù)經(jīng)濟發(fā)達國家所壟斷。 比如我國機車車輛使用的IGBT模塊都要從德國、日本進口，特別是在高等級的IGBT器件上。 2008年我國的第一條高鐵京津城際鐵路開通，隨后又開通了更多的高鐵線路，對IGBT的需求成倍增加。

IGBT芯片。根據(jù)查詢比亞迪股份有限公司官網(wǎng)信息，比亞迪股份有限公司成立于1995年，于2007年，比亞迪提出首個專利IGBT申請，2009年成功推出第一代IGBT芯片，打破國外技術(shù)壟斷。

現(xiàn)在比亞迪的IGBT在國際上還算不上很先進，但正是由于當初比亞迪面對國際壟斷選擇迎難而上，才讓中國人開上了真正意義上的國產(chǎn)新能源車。并且把新能源大巴賣到了全世界。我覺得這就是比亞迪的黑科技之一。

在王傳福的帶領下，懷著最初對 汽車 半導體芯片的追求。終于，在2009年比亞迪推出國內(nèi)首款自主研發(fā)的IGBT芯片，打破了國外技術(shù)封鎖。

要知道，比亞迪自己就是這樣，一步步地打破國外企業(yè)的壟斷成長起來的。近期比亞迪半導體公司也積極引入小米、聯(lián)想等三十多家企業(yè)的投資，并謀求獨立上市。

然而，自從1988年第一代IGBT芯片誕生以來，其制造的核心技術(shù)就一直牢牢掌握在英飛凌、三菱等海外巨頭手里。即使是國家級別的高鐵列車組，也不得不斥巨資對外采購。